IGBT-Transistor mit hoher Stromstärke, schneller Schaltgeschwindigkeit und geringen Schaltverlusten

Produktübersicht IGBTs sind vollgesteuerte, spannungsgesteuerte Leistungshalbleiterbauelemente, die eine BJT- und eine MOSFET-Struktur kombinieren. Sie zeichnen sich durch eine hohe Eingangsimpedanz und einen geringen Spannungsabfall im Durchlasszustand aus und bieten dadurch ein exzellentes Schaltverhalten und einen hohen Wirkungsgrad. IGBTs finden breite Anwendung in Servoantrieben, Frequenzumrichtern, Haushaltsgeräten mit variabler Frequenz, Photovoltaik-Wechselrichtern, Schweißgeräten, USV-Anlagen und Bordladegeräten und bieten zuverlässige Lösungen für die Leistungswandlung in einem breiten Anwendungsspektrum.  Unser IGBT-Produktportfolio umfasst mehrere Serien mit Nennspannungen von 650 V bis 1700 V und aktuelle Bewertungen von 5 A bis 200 ADie hocheffiziente Serie, entwickelt mit Trench Field Stop-Technologie, Ultradünner Waferprozess, Und Lokalisierte Lebensdauersteuerung, erzielt eine höhere Leistungsdichte, verbesserte thermische Toleranz, gesteigerte Umwandlungseffizienz und verlängerte Lebensdauer.